単相2巻線変圧器

回路図エディタにおける単相2巻線変圧器コンポーネントの説明

1. Typhoon HIL回路図エディタの単相2巻線変圧器コンポーネント

単相2巻線変圧器は、同一のコア上に結合された2つの巻線をモデル化します。磁化インダクタンスLmは線形または飽和特性を持ち、変圧器の一次側でモデル化されます。コア損失は、変圧器の一次側に位置するRm抵抗としてモデル化されます。また、 「コアモデル」プロパティで「Lm/Rmを無視」を選択することにより、 LmRmを無視することも可能です。さらに、より低速なダイナミクスではヒステリシスもシミュレートできます。詳細については、 「コアモデル」セクションを参照してください。

単相2巻線変圧器ブロックの概略ブロック図と対応する部品の配置および命名を図2に示します。

2単相2巻線変圧器の概略ブロック図と対応する部品の名称

埋め込みカップリング

単相 2 巻線変圧器の組み込みカップリングには、理想的な変圧器ベースのカップリングと TLM カップリングの 2 つのオプションがあります。

  • 理想的な変圧器 埋め込みカップリング タイプは TyphoonSim では無視され、TyphoonSim シミュレーションにはまったく影響しません。
  • TLM埋め込み結合タイプは、TyphoonSim 内の対応するインダクタに置き換えられます。

埋め込み結合を理想トランスに設定すると、トランスの2つの巻線間に理想トランスに基づく結合が配置されます。図3は、埋め込み結合を理想トランスに設定した場合のトランスの等価回路の概略図を示しています。

3理想変圧器ベースの結合部品を挿入した単相2巻線変圧器の概略ブロック図

Embedded couplingTLMに設定されている場合、二次巻線インダクタ (L2) は TLM カップリング部品に置き換えられます。インダクタンスは、カップリングと埋め込みインダクタに分割されます (インダクタは TLM では非表示になります)。TLM と埋め込みインダクタの比率はコンパイラによって決定できますが、明示的に指定することもできます。自動オプションを選択した場合、比率は離散化方法によって決定されます。手動オプションを選択した場合、比率はユーザー要件を満たすように明示的に設定できます。TLM カップリングの詳細については、 Core couplings - TLMを参照してください。図 4に、 Embedded coupling がTLMに設定されている場合のトランスの等価回路の概略図を示します。

4 TLM結合部品を挿入した単相2巻線変圧器の概略ブロック図

ポート

  • prm_1(電気)
    • 一次側(電流源側)巻線ポート1。
  • prm_2(電気)
    • 一次側(電流源側)巻線ポート2。
  • sec_1(電気)
    • 二次側(電圧源側)巻線ポート1。
  • sec_2(電気)
    • 二次側(電圧源側)巻線ポート2。

一般(タブ)

  • 入力パラメータ
    • パラメータの形式 (SI、pu、または SC および OC テスト) を指定します。
  • V1
    • 一次巻線の定格線間電圧[Vrms]。
  • V2
    • 二次巻線の定格線間電圧[Vrms]。
  • R1
    • 入力パラメータが SI に設定されている場合に使用できます。
    • 一次巻線の抵抗[Ω]。
  • L1
    • 入力パラメータが SI に設定されている場合に使用できます。
    • 一次巻線の漏れインダクタンス[H]。
  • l1
    • 入力パラメータが SI に設定されている場合に使用できます。
    • 一次巻線の初期電流[A]。
  • R2
    • 入力パラメータが SI に設定されている場合に使用できます。
    • 二次巻線の抵抗[Ω]。
  • L2
    • 入力パラメータが SI に設定されている場合に使用できます。
    • 二次巻線の漏れインダクタンス[H]。
  • I2
    • 入力パラメータが SI に設定されている場合に使用できます。
    • 二次巻線の初期電流[A]。
  • コアモデル
    • トランスフォーマーコア モデルの実装を選択します。
    • モデル忠実度には、線形、非線形、Rm/Lm 無視、ヒステリシスなど、いくつかのレベルがあります。
  • 部屋
    • 入力パラメータが SI に設定され、コア モデルが線形、非線形、またはヒステリシスに設定されている場合に使用できます。
    • 鉄心の損失を表す抵抗[Ω]。
  • ルム
    • 入力パラメータが SI に設定され、コア モデルが線形に設定されている場合に使用できます。
    • 磁化インダクタンス[H]。
  • スン
    • 入力パラメータが pu または SC および OC テストに設定されている場合に使用できます。
    • 変圧器の公称電力[VA]。
  • 脚注
    • 入力パラメータが pu または SC および OC テストに設定されている場合に使用できます。
    • 公称周波数[Hz]。
  • r1
    • 入力パラメータが pu に設定されている場合に使用できます。
    • 一次巻線の抵抗[pu]。
  • l1
    • 入力パラメータが pu に設定されている場合に使用できます。
    • 一次巻線の漏れインダクタンス[pu]。
  • i1
    • 入力パラメータが pu に設定されている場合に使用できます。
    • 一次巻線の初期電流[pu]。
  • r2
    • 入力パラメータが pu に設定されている場合に使用できます。
    • 二次巻線の抵抗[pu]。
  • l2
    • 入力パラメータが pu に設定されている場合に使用できます。
    • 二次巻線の漏れインダクタンス[pu]。
  • i2
    • 入力パラメータが pu に設定されている場合に使用できます。
    • 二次巻線の初期電流[pu]。
  • rm
    • 入力パラメータが pu に設定され、コア モデルが線形、非線形、またはヒステリシスに設定されている場合に使用できます。
    • コア損失を表す抵抗[pu]。
  • 映画
    • 入力パラメータが pu に設定され、コア モデルが線形に設定されている場合に使用できます。
    • 磁化インダクタンス[pu]。
  • lmフラックス
    • コア モデルが非線形またはヒステリシスに設定され、入力パラメータが pu に設定されている場合に使用できます。
    • 磁束値のベクトル[pu]。
  • lm電流
    • コア モデルが非線形またはヒステリシスに設定され、入力パラメータが pu に設定されている場合に使用できます。
    • 現在の値のベクトル[pu]。
  • Lmフラックス
    • コア モデルが非線形またはヒステリシスに設定され、入力パラメータがSI に設定されている場合に使用できます。
    • 磁束値のベクトル[A]。
  • LM電流
    • コア モデルが非線形またはヒステリシスに設定され、入力パラメータがSI に設定されている場合に使用できます。
    • 電流値のベクトル[A]。
  • usc1
    • 入力パラメータが SC および OC テストに設定されている場合に使用できます。
    • 正相短絡電圧
  • Psc1
    • 入力パラメータが SC および OC テストに設定されている場合に使用できます。
    • 正相短絡損失 [W]
  • ヒステリシス磁束
    • コア モデルがヒステリシスに設定され、入力パラメータがSI または pu に設定されている場合に使用できます。
    • ヒステリシスの上側曲線の磁化磁束値のベクトル
  • ヒステリシスフラックス値
    • コア モデルがヒステリシスに設定され、入力パラメータが SC および OC テストに設定されている場合に使用できます。
    • ヒステリシスの上側曲線の磁化磁束値のベクトル
  • ioc1
    • 入力パラメータが SC および OC テストに設定され、コア モデルが線形、非線形、またはヒステリシスに設定されている場合に使用できます。
    • 正シーケンス無負荷励起電流。
  • ポック1
    • 入力パラメータが SC および OC テストに設定され、コア モデルが線形、非線形、またはヒステリシスに設定されている場合に使用できます。
    • 正相無負荷損失[W]
  • フラックス値
    • 入力パラメータが SC および OC テストに設定され、コア モデルがヒステリシスまたは非線形に設定されている場合に使用できます。
    • フラックス値のベクトル [pu]
  • 現在の値
    • 入力パラメータが SC および OC テストに設定され、コア モデルがヒステリシスまたは非線形に設定されている場合に使用できます。
    • 現在の値のベクトル[pu]
  • 実行率
    • コア モデルがヒステリシスに設定されている場合に使用できます。
    • 測定および信号処理コンポーネントの実行速度を定義します。

カップリング(タブ)

  • 理想的な変圧器 埋め込みカップリング タイプは TyphoonSim では無視され、TyphoonSim シミュレーションにはまったく影響しません。
  • TLM埋め込み結合タイプは、TyphoonSim 内の対応するインダクタに置き換えられます。
  • 埋め込みカップリング
    • トランスに結合コンポーネントを挿入します。理想トランスまたは TLM に設定できます。
    • 埋め込みカップリングの詳細については、埋め込みカップリングのセクションをご覧ください。
  • カップリング要素の種類
    • 埋め込み結合が理想変圧器または TLM に設定されている場合に使用できます。
    • 挿入されたカップリングコンポーネントがコアカップリングかデバイスカップリングかを定義します。挿入されたカップリングコンポーネントのうち、デバイスカップリングにできるのは1つだけです。
    • デバイス カップリングは、理想トランスフォーマー ベースのカップリングでのみ使用できます。
  • TLM/組み込みコンポーネント比率
    • 埋め込み結合が TLM に設定されている場合に使用できます。
    • 組み込みインダクタへの結合比の計算方法を定義します。手動または自動に設定できます。
  • 比率
    • TLM/組み込みコンポーネント比率が手動に設定されている場合に使用できます。
    • 埋め込みインダクタの結合比を指定するために使用